BAS21LT3G
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| Numero parte | BAS21LT3G |
| PNEDA Part # | BAS21LT3G |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 761.046 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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BAS21LT3G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BAS21LT3G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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BAS21LT3G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 250V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 200mA (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 300V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia T-18, Axial Pacchetto dispositivo fornitore TS-1 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 120V Corrente - Media Rettificata (Io) 3.9A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 830mV @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 400µA @ 120V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-277, 3-PowerDFN Pacchetto dispositivo fornitore TO-277A (SMPC) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore Semtech Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 10000V Corrente - Media Rettificata (Io) 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 10V @ 6A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 4µA @ 10000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 360mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 20V Capacità @ Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-123F Pacchetto dispositivo fornitore S-FLAT (1.6x3.5) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 125°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 740mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 50V Capacità @ Vr, F 180pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 125°C |
