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BAQ335-TR

BAQ335-TR

Solo per riferimento

Numero parte BAQ335-TR
PNEDA Part # BAQ335-TR
Descrizione DIODE GP 125V 200MA MICROMELF
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 102.798
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 29 - gen 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BAQ335-TR Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBAQ335-TR
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
BAQ335-TR, BAQ335-TR Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 84,58 KB)
PDFBAQ334-TR3 Datasheet Copertura
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BAQ335-TR Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)125V
Corrente - Media Rettificata (Io)200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 100mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr1nA @ 60V
Capacità @ Vr, F3pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia2-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreMicroMELF
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

30mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 15mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

1ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200nA @ 50V

Capacità @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-76, SOD-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-323

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

S1KW48KA-3

Semtech

Produttore

Semtech Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

48000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

48V @ 3A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 48000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

JANTX1N6641

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/609

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

300mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 300mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

5ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

D, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

D-5D

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

1N3883

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 6A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

15µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AA, DO-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-4

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

RFU02VSM8STR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

200mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

3V @ 200mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

4pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

2-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

TUMD2SM

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

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