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B66457W0630J187

B66457W0630J187

Solo per riferimento

Numero parte B66457W0630J187
PNEDA Part # B66457W0630J187
Descrizione FERRITE CORE
Produttore TDK-EPCOS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.786
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

B66457W0630J187 Risorse

Brand TDK-EPCOS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteB66457W0630J187
CategoriaPotenzaMagneticanuclei di ferrite

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B66457W0630J187 Specifiche

ProduttoreEPCOS (TDK)
Serie-
Tipo di nucleo-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Materiale-
Diametro-
Fattore di induttanza (Al)-
Tolleranza-
Gap-
Permeabilità effettiva (µe)-
Permeabilità iniziale (µi)-
Core Factor (ΣI / A) mm 1 -
Lunghezza effettiva (le) mm-
Area effettiva (Ae) mm²-
Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²-
Volume magnetico effettivo (Ve) mm³-
Fine-
Altezza-
Lunghezza-
Larghezza-

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

TDK Corporation

Serie

T

Tipo di nucleo

Toroid

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Materiale

-

Diametro

-

Fattore di induttanza (Al)

-

Tolleranza

-

Gap

Ungapped

Permeabilità effettiva (µe)

-

Permeabilità iniziale (µi)

5000

Core Factor (ΣI / A) mm 1

-

Lunghezza effettiva (le) mm

-

Area effettiva (Ae) mm²

-

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

-

Fine

Epoxy

Altezza

0.787" (20.00mm)

Lunghezza

-

Larghezza

-

25T0155-10P

Laird-Signal Integrity Products

Produttore

Laird-Signal Integrity Products

Serie

-

Tipo di nucleo

Toroid

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Materiale

25

Diametro

3.94mm

Fattore di induttanza (Al)

18nH

Tolleranza

±30%

Gap

Ungapped

Permeabilità effettiva (µe)

-

Permeabilità iniziale (µi)

125

Core Factor (ΣI / A) mm 1

8.74

Lunghezza effettiva (le) mm

9.196

Area effettiva (Ae) mm²

1.052

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

9.677

Fine

Parylene

Altezza

1.27mm

Lunghezza

-

Larghezza

-

TX13/7.1/4.8-3E27

Ferroxcube

Produttore

Ferroxcube

Serie

-

Tipo di nucleo

Toroid

Pacchetto dispositivo fornitore

TX 13 x 7.1 x 4.8

Materiale

3E27

Diametro

12.95mm

Fattore di induttanza (Al)

-

Tolleranza

-

Gap

-

Permeabilità effettiva (µe)

-

Permeabilità iniziale (µi)

-

Core Factor (ΣI / A) mm 1

-

Lunghezza effettiva (le) mm

-

Area effettiva (Ae) mm²

-

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

-

Fine

Epoxy

Altezza

5.06mm

Lunghezza

-

Larghezza

-

ER23/3.6/13-3C96-S

Ferroxcube

Produttore

Ferroxcube

Serie

*

Tipo di nucleo

ER

Pacchetto dispositivo fornitore

ER 23 x 3.6 x 13

Materiale

3C96

Diametro

-

Fattore di induttanza (Al)

-

Tolleranza

±25%

Gap

Ungapped

Permeabilità effettiva (µe)

1180

Permeabilità iniziale (µi)

-

Core Factor (ΣI / A) mm 1

0.53

Lunghezza effettiva (le) mm

26.6

Area effettiva (Ae) mm²

50.2

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

50

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

1340

Fine

Uncoated

Altezza

3.60mm

Lunghezza

23.20mm

Larghezza

12.50mm

B66455P0000X187

TDK-EPCOS

Produttore

EPCOS (TDK)

Serie

-

Tipo di nucleo

I

Pacchetto dispositivo fornitore

I 22 x 2.5 x 16

Materiale

N87

Diametro

-

Fattore di induttanza (Al)

-

Tolleranza

±25%

Gap

Ungapped

Permeabilità effettiva (µe)

1360

Permeabilità iniziale (µi)

2200

Core Factor (ΣI / A) mm 1

0.33

Lunghezza effettiva (le) mm

26.1

Area effettiva (Ae) mm²

78.5

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

77.9

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

2050

Fine

Uncoated

Altezza

2.50mm

Lunghezza

21.80mm

Larghezza

15.80mm

Venduto di recente

FDS4935BZ

FDS4935BZ

ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC

TDA04H0SB1R

TDA04H0SB1R

C&K

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

MCP16331T-E/CH

MCP16331T-E/CH

Microchip Technology

IC REG BUCK ADJ 500MA SOT23-6

XC7A200T-2FBG484I

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Xilinx

IC FPGA 285 I/O 484FCBGA

SSM3K15AFS,LF

SSM3K15AFS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM

NRVBS3100T3G

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ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC

HSMS-2820-TR1G

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Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT23-3

RB521S-30TE61

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Rohm Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2

MAX15021ATI+T

MAX15021ATI+T

Maxim Integrated

IC REG BUCK ADJ 2A/4A DL 28TQFN

0437007.WR

0437007.WR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 32VAC 35VDC 1206

HUF75344P3

HUF75344P3

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

CAT93C57XI

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ON Semiconductor

IC EEPROM 2K SPI 1MHZ 8SOIC