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B65803N0025A001

B65803N0025A001

Solo per riferimento

Numero parte B65803N0025A001
PNEDA Part # B65803N0025A001
Descrizione FERRITE CORE RM 25NH K1 2PCS
Produttore TDK-EPCOS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.122
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

B65803N0025A001 Risorse

Brand TDK-EPCOS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteB65803N0025A001
CategoriaPotenzaMagneticanuclei di ferrite
Datasheet
B65803N0025A001, B65803N0025A001 Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 1.302,89 KB)
PDFB65803N0025A001 Datasheet Copertura
B65803N0025A001 Datasheet Pagina 2 B65803N0025A001 Datasheet Pagina 3 B65803N0025A001 Datasheet Pagina 4 B65803N0025A001 Datasheet Pagina 5 B65803N0025A001 Datasheet Pagina 6 B65803N0025A001 Datasheet Pagina 7 B65803N0025A001 Datasheet Pagina 8 B65803N0025A001 Datasheet Pagina 9 B65803N0025A001 Datasheet Pagina 10 B65803N0025A001 Datasheet Pagina 11

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B65803N0025A001 Specifiche

ProduttoreEPCOS (TDK)
SerieB65803
Tipo di nucleoRM
Pacchetto dispositivo fornitoreRM 4
MaterialeK1
Diametro-
Fattore di induttanza (Al)25nH
Tolleranza±3%
GapGapped
Permeabilità effettiva (µe)37.8
Permeabilità iniziale (µi)80
Core Factor (ΣI / A) mm 1 1.9
Lunghezza effettiva (le) mm21
Area effettiva (Ae) mm²11
Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²-
Volume magnetico effettivo (Ve) mm³231
FineUncoated
Altezza5.25mm
Lunghezza11.00mm
Larghezza4.60mm

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Produttore

Ferroxcube

Serie

*

Tipo di nucleo

ER

Pacchetto dispositivo fornitore

ER 14.5 x 3 x 7

Materiale

3C96

Diametro

-

Fattore di induttanza (Al)

100nH

Tolleranza

±3%

Gap

Gapped

Permeabilità effettiva (µe)

86

Permeabilità iniziale (µi)

-

Core Factor (ΣI / A) mm 1

1.08

Lunghezza effettiva (le) mm

19

Area effettiva (Ae) mm²

17.6

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

17.3

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

333

Fine

Uncoated

Altezza

6.80mm

Lunghezza

14.50mm

Larghezza

2.95mm

B65531D0063A033

TDK-EPCOS

Produttore

EPCOS (TDK)

Serie

B65531

Tipo di nucleo

P (Pot Core)

Pacchetto dispositivo fornitore

P 11 x 7

Materiale

M33

Diametro

11.30mm

Fattore di induttanza (Al)

63nH

Tolleranza

±3%

Gap

Gapped

Permeabilità effettiva (µe)

50

Permeabilità iniziale (µi)

750

Core Factor (ΣI / A) mm 1

1

Lunghezza effettiva (le) mm

15.9

Area effettiva (Ae) mm²

15.9

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

253

Fine

Uncoated

Altezza

3.30mm

Lunghezza

-

Larghezza

-

TX58/41/18-4C65

Ferroxcube

Produttore

Ferroxcube

Serie

-

Tipo di nucleo

Toroid

Pacchetto dispositivo fornitore

TX 58 x 41 x 18

Materiale

4C65

Diametro

59.80mm

Fattore di induttanza (Al)

-

Tolleranza

-

Gap

-

Permeabilità effettiva (µe)

-

Permeabilità iniziale (µi)

-

Core Factor (ΣI / A) mm 1

-

Lunghezza effettiva (le) mm

-

Area effettiva (Ae) mm²

-

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

-

Fine

Epoxy

Altezza

18.60mm

Lunghezza

-

Larghezza

-

B66285U0315A187

TDK-EPCOS

Produttore

EPCOS (TDK)

Serie

-

Tipo di nucleo

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Materiale

-

Diametro

-

Fattore di induttanza (Al)

-

Tolleranza

-

Gap

-

Permeabilità effettiva (µe)

-

Permeabilità iniziale (µi)

-

Core Factor (ΣI / A) mm 1

-

Lunghezza effettiva (le) mm

-

Area effettiva (Ae) mm²

-

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

-

Fine

-

Altezza

-

Lunghezza

-

Larghezza

-

Produttore

Ferroxcube

Serie

*

Tipo di nucleo

E

Pacchetto dispositivo fornitore

E 18 x 4 x 10

Materiale

3C92

Diametro

-

Fattore di induttanza (Al)

-

Tolleranza

-

Gap

-

Permeabilità effettiva (µe)

-

Permeabilità iniziale (µi)

-

Core Factor (ΣI / A) mm 1

-

Lunghezza effettiva (le) mm

-

Area effettiva (Ae) mm²

-

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

-

Fine

Uncoated

Altezza

4.00mm

Lunghezza

18.00mm

Larghezza

10.00mm

Venduto di recente

LQW2BHN22NJ03L

LQW2BHN22NJ03L

Murata

FIXED IND 22NH 720MA 90 MOHM SMD

PC28F00BM29EWHA

PC28F00BM29EWHA

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 64FBGA

MAX3224EEAP+T

MAX3224EEAP+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

JS28F128J3F75A

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

SI1308EDL-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323

ES3J

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SMC Diode Solutions

SMT SUPER FAST RECTIFIER

CY62126EV30LL-45ZSXI

CY62126EV30LL-45ZSXI

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IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

DG641DY

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Vishay Siliconix

IC VIDEO SWITCH SPST 16SOIC

REF192GS

REF192GS

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC

IRF9Z24NPBF

IRF9Z24NPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB

SMBJ10A

SMBJ10A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 10V 17V DO214AA

SS34-E3/57T

SS34-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB