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AUIRG4BC30S-S

AUIRG4BC30S-S

Solo per riferimento

Numero parte AUIRG4BC30S-S
PNEDA Part # AUIRG4BC30S-S
Descrizione IGBT 600V 34A 100W D2PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.672
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AUIRG4BC30S-S Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAUIRG4BC30S-S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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AUIRG4BC30S-S Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)34A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)68A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.6V @ 15V, 18A
Potenza - Max100W
Switching Energy260µJ (on), 3.45mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge50nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C22ns/540ns
Condizione di test480V, 18A, 23Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Potenza - Max

349W

Switching Energy

870µJ (on), 260µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

119nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/92ns

Condizione di test

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB (D²PAK)

STGWT80V60F

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 80A

Potenza - Max

469W

Switching Energy

1.8mJ (on), 1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

448nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

60ns/220ns

Condizione di test

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

RJH60D2DPP-A0#T2

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Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

180A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

450A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 40A

Potenza - Max

480W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

185nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

21ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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