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AU1PJ-M3/85A

AU1PJ-M3/85A

Solo per riferimento

Numero parte AU1PJ-M3/85A
PNEDA Part # AU1PJ-M3-85A
Descrizione DIODE AVALANCHE 600V 1A DO220AA
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.910
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 4 - nov 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AU1PJ-M3/85A Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAU1PJ-M3/85A
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
AU1PJ-M3/85A, AU1PJ-M3/85A Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 108,12 KB)
PDFAU1PJHM3/84A Datasheet Copertura
AU1PJHM3/84A Datasheet Pagina 2 AU1PJHM3/84A Datasheet Pagina 3 AU1PJHM3/84A Datasheet Pagina 4 AU1PJHM3/84A Datasheet Pagina 5

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AU1PJ-M3/85A Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieeSMP®
Tipo di diodoAvalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)600V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.5V @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr1µA @ 600V
Capacità @ Vr, F11pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

MBR6080R

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

80V

Corrente - Media Rettificata (Io)

60A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

840mV @ 60A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5mA @ 20V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

RS3BHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 2.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

44pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

1N5408GTA

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Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

STBR3012W

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 30A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-247-2 (Straight Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-247

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

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