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AT45DB321E-MWHF-Y

AT45DB321E-MWHF-Y

Solo per riferimento

Numero parte AT45DB321E-MWHF-Y
PNEDA Part # AT45DB321E-MWHF-Y
Descrizione IC FLASH 32M SPI 85MHZ 8VDFN
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.536
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 11 - apr 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT45DB321E-MWHF-Y Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT45DB321E-MWHF-Y
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT45DB321E-MWHF-Y, AT45DB321E-MWHF-Y Datasheet (Totale pagine: 70, Dimensioni: 2.489,09 KB)
PDFAT45DB321E-CCUF-T Datasheet Copertura
AT45DB321E-CCUF-T Datasheet Pagina 2 AT45DB321E-CCUF-T Datasheet Pagina 3 AT45DB321E-CCUF-T Datasheet Pagina 4 AT45DB321E-CCUF-T Datasheet Pagina 5 AT45DB321E-CCUF-T Datasheet Pagina 6 AT45DB321E-CCUF-T Datasheet Pagina 7 AT45DB321E-CCUF-T Datasheet Pagina 8 AT45DB321E-CCUF-T Datasheet Pagina 9 AT45DB321E-CCUF-T Datasheet Pagina 10 AT45DB321E-CCUF-T Datasheet Pagina 11

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AT45DB321E-MWHF-Y Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria32Mb (528 Bytes x 8192 pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock85MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8µs, 4ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-VDFN (6x8)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

MT49H32M18SJ-25:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM

Dimensione della memoria

576Mb (32M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

144-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (256 x 16)

Interfaccia di memoria

1-Wire®

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2µs

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VBGA, FCBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

6-FlipChip (2.82x2.54)

7016S35PF

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

144Kb (16K x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

117MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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