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AT45DB041E-MHN-Y

AT45DB041E-MHN-Y

Solo per riferimento

Numero parte AT45DB041E-MHN-Y
PNEDA Part # AT45DB041E-MHN-Y
Descrizione IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8UDFN
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.912
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 30 - apr 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT45DB041E-MHN-Y Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT45DB041E-MHN-Y
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT45DB041E-MHN-Y, AT45DB041E-MHN-Y Datasheet (Totale pagine: 70, Dimensioni: 2.539,45 KB)
PDFAT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Copertura
AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 2 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 3 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 4 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 5 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 6 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 7 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 8 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 9 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 10 AT45DB041E-UUN2B-T Datasheet Pagina 11

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AT45DB041E-MHN-Y Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria4Mb (264 Bytes x 2048 pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock85MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8µs, 3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-UDFN (5x6)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

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Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-FBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (10x13)

SM662PEB-AC

Silicon Motion, Inc.

Produttore

Silicon Motion, Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

144Kb (16K x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

8Gb (256M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

208MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

14.4ns

Tempo di accesso

5.0ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Micron Technology Inc.

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Formato memoria

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Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1866MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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