AT45DB041E-MHN-Y
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| Numero parte | AT45DB041E-MHN-Y |
| PNEDA Part # | AT45DB041E-MHN-Y |
| Descrizione | IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8UDFN |
| Produttore | Adesto Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.912 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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AT45DB041E-MHN-Y Risorse
| Brand | Adesto Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AT45DB041E-MHN-Y |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
AT45DB041E-MHN-Y, AT45DB041E-MHN-Y Datasheet
(Totale pagine: 70, Dimensioni: 2.539,45 KB)
  
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AT45DB041E-MHN-Y Specifiche
| Produttore | Adesto Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH |
| Dimensione della memoria | 4Mb (264 Bytes x 2048 pages) |
| Interfaccia di memoria | SPI |
| Frequenza di clock | 85MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 8µs, 3ms |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.65V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-UDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-UDFN (5x6) |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 20ns Tempo di accesso 20ns Tensione - Alimentazione 1.65V ~ 2.2V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 48-TSOP I |
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