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AT27BV4096-15JC

AT27BV4096-15JC

Solo per riferimento

Numero parte AT27BV4096-15JC
PNEDA Part # AT27BV4096-15JC
Descrizione IC EPROM 4M PARALLEL 44PLCC
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.508
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AT27BV4096-15JC Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT27BV4096-15JC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT27BV4096-15JC, AT27BV4096-15JC Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 182,19 KB)
PDFAT27BV4096-12JU Datasheet Copertura
AT27BV4096-12JU Datasheet Pagina 2 AT27BV4096-12JU Datasheet Pagina 3 AT27BV4096-12JU Datasheet Pagina 4 AT27BV4096-12JU Datasheet Pagina 5 AT27BV4096-12JU Datasheet Pagina 6 AT27BV4096-12JU Datasheet Pagina 7 AT27BV4096-12JU Datasheet Pagina 8 AT27BV4096-12JU Datasheet Pagina 9 AT27BV4096-12JU Datasheet Pagina 10 AT27BV4096-12JU Datasheet Pagina 11

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AT27BV4096-15JC Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEPROM
TecnologiaEPROM - OTP
Dimensione della memoria4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso150ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-LCC (J-Lead)
Pacchetto dispositivo fornitore44-PLCC (16.6x16.6)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MT46H4M32LFB5-6 AT:K TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.0ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-VFBGA (8x13)

MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MR2A16AVYS35R

Everspin Technologies Inc.

Produttore

Everspin Technologies Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

RAM

Tecnologia

MRAM (Magnetoresistive RAM)

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP2

S71PL127JB0BFWQB0G

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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