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AT25XE011-XMHN-B

AT25XE011-XMHN-B

Solo per riferimento

Numero parte AT25XE011-XMHN-B
PNEDA Part # AT25XE011-XMHN-B
Descrizione IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8TSSOP
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 10.104
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25XE011-XMHN-B Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25XE011-XMHN-B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25XE011-XMHN-B, AT25XE011-XMHN-B Datasheet (Totale pagine: 41, Dimensioni: 2.284,71 KB)
PDFAT25XE011-SSHN-B Datasheet Copertura
AT25XE011-SSHN-B Datasheet Pagina 2 AT25XE011-SSHN-B Datasheet Pagina 3 AT25XE011-SSHN-B Datasheet Pagina 4 AT25XE011-SSHN-B Datasheet Pagina 5 AT25XE011-SSHN-B Datasheet Pagina 6 AT25XE011-SSHN-B Datasheet Pagina 7 AT25XE011-SSHN-B Datasheet Pagina 8 AT25XE011-SSHN-B Datasheet Pagina 9 AT25XE011-SSHN-B Datasheet Pagina 10 AT25XE011-SSHN-B Datasheet Pagina 11

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AT25XE011-XMHN-B Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina12µs, 3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

128Gb (16G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-VBGA

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100-VBGA (12x18)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-TWBGA (9x13)

S25FL129P0XMFV003M

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (32K x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

75MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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