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AT25SF081-MAHD-T

AT25SF081-MAHD-T

Solo per riferimento

Numero parte AT25SF081-MAHD-T
PNEDA Part # AT25SF081-MAHD-T
Descrizione IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8UDFN
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.066
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25SF081-MAHD-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25SF081-MAHD-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25SF081-MAHD-T, AT25SF081-MAHD-T Datasheet (Totale pagine: 46, Dimensioni: 3.398,03 KB)
PDFAT25SF081-MHF-T Datasheet Copertura
AT25SF081-MHF-T Datasheet Pagina 2 AT25SF081-MHF-T Datasheet Pagina 3 AT25SF081-MHF-T Datasheet Pagina 4 AT25SF081-MHF-T Datasheet Pagina 5 AT25SF081-MHF-T Datasheet Pagina 6 AT25SF081-MHF-T Datasheet Pagina 7 AT25SF081-MHF-T Datasheet Pagina 8 AT25SF081-MHF-T Datasheet Pagina 9 AT25SF081-MHF-T Datasheet Pagina 10 AT25SF081-MHF-T Datasheet Pagina 11

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  • AT25SF081-MAHD-T Distributor

AT25SF081-MAHD-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5µs, 5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-UDFN (2x3)

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Produttore

Everspin Technologies Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-LFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (64 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DIP

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Produttore

Microchip Technology

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Tipo di memoria

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Formato memoria

EPROM

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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