AT25BCM512C-MAHF-T
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| Numero parte | AT25BCM512C-MAHF-T |
| PNEDA Part # | AT25BCM512C-MAHF-T |
| Descrizione | IC FLASH 512K SPI 70MHZ 8UDFN |
| Produttore | Adesto Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.310 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 7 - apr 12 (Scegli Spedizione rapida) |
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AT25BCM512C-MAHF-T Risorse
| Brand | Adesto Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AT25BCM512C-MAHF-T |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
AT25BCM512C-MAHF-T, AT25BCM512C-MAHF-T Datasheet
(Totale pagine: 33, Dimensioni: 695,58 KB)
  
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AT25BCM512C-MAHF-T Specifiche
| Produttore | Adesto Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH |
| Dimensione della memoria | 512Kb (64K x 8) |
| Interfaccia di memoria | SPI |
| Frequenza di clock | 70MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15µs, 5ms |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-UFDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-UDFN (2x3) |
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Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 20ns Tempo di accesso 20ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 28-SOJ |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR4 Dimensione della memoria 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 1.2GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 19ns Tensione - Alimentazione 1.14V ~ 1.26V Temperatura di esercizio 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 78-FBGA (9x10.5) |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM Dimensione della memoria 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 5.4ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 86-TSOP II |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria 128Mb (4M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 7ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 90-VFBGA (8x13) |
