AT25160B-MAHL-E
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| Numero parte | AT25160B-MAHL-E |
| PNEDA Part # | AT25160B-MAHL-E |
| Descrizione | IC EEPROM 16K SPI 20MHZ 8UDFN |
| Produttore | Microchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 122.244 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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AT25160B-MAHL-E Risorse
| Brand | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AT25160B-MAHL-E |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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AT25160B-MAHL-E Specifiche
| Produttore | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
| Interfaccia di memoria | SPI |
| Frequenza di clock | 20MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 5ms |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.8V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-UFDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-UDFN (2x3) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie FL-S Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O Frequenza di clock 66MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 16-SOIC |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 512Kb (32K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10ns Tempo di accesso 10ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 44-SOJ |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 3.4MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 16-SOIC |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie GL-P Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 100ns Tempo di accesso 100ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 56-TSOP |
