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AT25128A-10PU-1.8

AT25128A-10PU-1.8

Solo per riferimento

Numero parte AT25128A-10PU-1.8
PNEDA Part # AT25128A-10PU-1-8
Descrizione IC EEPROM 128K SPI 20MHZ 8DIP
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.434
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25128A-10PU-1.8 Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25128A-10PU-1.8
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25128A-10PU-1.8, AT25128A-10PU-1.8 Datasheet (Totale pagine: 24, Dimensioni: 493,78 KB)
PDFAT25128AW-10SU-2.7 Datasheet Copertura
AT25128AW-10SU-2.7 Datasheet Pagina 2 AT25128AW-10SU-2.7 Datasheet Pagina 3 AT25128AW-10SU-2.7 Datasheet Pagina 4 AT25128AW-10SU-2.7 Datasheet Pagina 5 AT25128AW-10SU-2.7 Datasheet Pagina 6 AT25128AW-10SU-2.7 Datasheet Pagina 7 AT25128AW-10SU-2.7 Datasheet Pagina 8 AT25128AW-10SU-2.7 Datasheet Pagina 9 AT25128AW-10SU-2.7 Datasheet Pagina 10 AT25128AW-10SU-2.7 Datasheet Pagina 11

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AT25128A-10PU-1.8 Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria128Kb (16K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore8-PDIP

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (8M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-TFBGA (8x13)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR3

Dimensione della memoria

8Gb (128M x 64)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

32-PDIP

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