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AT25080N-10SC-2.7

AT25080N-10SC-2.7

Solo per riferimento

Numero parte AT25080N-10SC-2.7
PNEDA Part # AT25080N-10SC-2-7
Descrizione IC EEPROM 8K SPI 3MHZ 8SOIC
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.322
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25080N-10SC-2.7 Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25080N-10SC-2.7
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25080N-10SC-2.7, AT25080N-10SC-2.7 Datasheet (Totale pagine: 19, Dimensioni: 279,96 KB)
PDFAT25160N-10SC-1.8 Datasheet Copertura
AT25160N-10SC-1.8 Datasheet Pagina 2 AT25160N-10SC-1.8 Datasheet Pagina 3 AT25160N-10SC-1.8 Datasheet Pagina 4 AT25160N-10SC-1.8 Datasheet Pagina 5 AT25160N-10SC-1.8 Datasheet Pagina 6 AT25160N-10SC-1.8 Datasheet Pagina 7 AT25160N-10SC-1.8 Datasheet Pagina 8 AT25160N-10SC-1.8 Datasheet Pagina 9 AT25160N-10SC-1.8 Datasheet Pagina 10 AT25160N-10SC-1.8 Datasheet Pagina 11

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AT25080N-10SC-2.7 Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria8Kb (1K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock3MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.71V ~ 1.89V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-LFBGA (15x17)

CAT25128LI-G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

32Kb (2K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

68-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

68-PLCC (24.21x24.21)

7007L35J8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

68-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

68-PLCC (24.21x24.21)

CY7C1563V18-400BZC

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

72Mb (4M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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