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AT24C64AN-10SI-1.8-T

AT24C64AN-10SI-1.8-T

Solo per riferimento

Numero parte AT24C64AN-10SI-1.8-T
PNEDA Part # AT24C64AN-10SI-1-8-T
Descrizione IC EEPROM 64K I2C 400KHZ 8SOIC
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 8.172
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AT24C64AN-10SI-1.8-T Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT24C64AN-10SI-1.8-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT24C64AN-10SI-1.8-T, AT24C64AN-10SI-1.8-T Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 216,02 KB)
PDFAT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Copertura
AT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 2 AT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 3 AT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 4 AT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 5 AT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 6 AT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 7 AT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 8 AT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 9 AT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 10 AT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 11

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AT24C64AN-10SI-1.8-T Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria64Kb (8K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso900ns
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50ns

Tempo di accesso

50ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

55-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

55-VFBGA (8x10)

24LC024HT-E/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

400ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IS43R32400E-5BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

144-LFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

144-LFBGA (12x12)

MT46H32M16LFBF-6 IT:C

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.0ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-VFBGA (8x9)

CY7C1302DV25-167BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

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Volatile

Formato memoria

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Dimensione della memoria

9Mb (512K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.4V ~ 2.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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