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AT24C512BY7-YH25-T

AT24C512BY7-YH25-T

Solo per riferimento

Numero parte AT24C512BY7-YH25-T
PNEDA Part # AT24C512BY7-YH25-T
Descrizione IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8SAP
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 8.316
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT24C512BY7-YH25-T Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT24C512BY7-YH25-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT24C512BY7-YH25-T, AT24C512BY7-YH25-T Datasheet (Totale pagine: 26, Dimensioni: 675,05 KB)
PDFAT24C512BY7-YH25-T Datasheet Copertura
AT24C512BY7-YH25-T Datasheet Pagina 2 AT24C512BY7-YH25-T Datasheet Pagina 3 AT24C512BY7-YH25-T Datasheet Pagina 4 AT24C512BY7-YH25-T Datasheet Pagina 5 AT24C512BY7-YH25-T Datasheet Pagina 6 AT24C512BY7-YH25-T Datasheet Pagina 7 AT24C512BY7-YH25-T Datasheet Pagina 8 AT24C512BY7-YH25-T Datasheet Pagina 9 AT24C512BY7-YH25-T Datasheet Pagina 10 AT24C512BY7-YH25-T Datasheet Pagina 11

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AT24C512BY7-YH25-T Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso550ns
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-UDFN (6x4.9)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

512M (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-FBGA (8x12.5)

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Produttore

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND (SLC)

Dimensione della memoria

8Gb (1G x 8)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

67-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

67-VFBGA (6.5x8)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

150µs

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.65V ~ 3.3V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

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Everspin Technologies Inc.

Produttore

Everspin Technologies Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

RAM

Tecnologia

MRAM (Magnetoresistive RAM)

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Winbond Electronics

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Mb (8M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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