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AT24C32W-10SI-2.7

AT24C32W-10SI-2.7

Solo per riferimento

Numero parte AT24C32W-10SI-2.7
PNEDA Part # AT24C32W-10SI-2-7
Descrizione IC EEPROM 32K I2C 400KHZ 8SOIC
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.226
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 18 - apr 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT24C32W-10SI-2.7 Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT24C32W-10SI-2.7
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT24C32W-10SI-2.7, AT24C32W-10SI-2.7 Datasheet (Totale pagine: 19, Dimensioni: 209,71 KB)
PDFAT24C64-10TI-2.7 Datasheet Copertura
AT24C64-10TI-2.7 Datasheet Pagina 2 AT24C64-10TI-2.7 Datasheet Pagina 3 AT24C64-10TI-2.7 Datasheet Pagina 4 AT24C64-10TI-2.7 Datasheet Pagina 5 AT24C64-10TI-2.7 Datasheet Pagina 6 AT24C64-10TI-2.7 Datasheet Pagina 7 AT24C64-10TI-2.7 Datasheet Pagina 8 AT24C64-10TI-2.7 Datasheet Pagina 9 AT24C64-10TI-2.7 Datasheet Pagina 10 AT24C64-10TI-2.7 Datasheet Pagina 11

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AT24C32W-10SI-2.7 Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria32Kb (4K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ms
Tempo di accesso900ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Tempo di accesso

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

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