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AT24C04BN-SH-B

AT24C04BN-SH-B

Solo per riferimento

Numero parte AT24C04BN-SH-B
PNEDA Part # AT24C04BN-SH-B
Descrizione IC EEPROM 4K I2C 1MHZ 8SOIC
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 431
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT24C04BN-SH-B Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT24C04BN-SH-B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT24C04BN-SH-B, AT24C04BN-SH-B Datasheet (Totale pagine: 28, Dimensioni: 495,74 KB)
PDFAT24C04BU3-UU-T Datasheet Copertura
AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 2 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 3 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 4 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 5 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 6 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 7 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 8 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 9 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 10 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 11

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AT24C04BN-SH-B Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria4Kb (512 x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso550ns
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

68-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-BGA (11x9)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-FBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (10x13)

70V9289L9PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

1Mb (64K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

9ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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