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AT-41533-TR1G

AT-41533-TR1G

Solo per riferimento

Numero parte AT-41533-TR1G
PNEDA Part # AT-41533-TR1G
Descrizione RF TRANS NPN 12V SOT23
Produttore Broadcom
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.092
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT-41533-TR1G Risorse

Brand Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT-41533-TR1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
AT-41533-TR1G, AT-41533-TR1G Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 119,3 KB)
PDFAT-41533-TR2G Datasheet Copertura
AT-41533-TR2G Datasheet Pagina 2 AT-41533-TR2G Datasheet Pagina 3 AT-41533-TR2G Datasheet Pagina 4 AT-41533-TR2G Datasheet Pagina 5 AT-41533-TR2G Datasheet Pagina 6 AT-41533-TR2G Datasheet Pagina 7 AT-41533-TR2G Datasheet Pagina 8 AT-41533-TR2G Datasheet Pagina 9 AT-41533-TR2G Datasheet Pagina 10

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AT-41533-TR1G Specifiche

ProduttoreBroadcom Limited
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
Guadagno9dB ~ 14.5dB
Potenza - Max225mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23

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Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5.5V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

Guadagno

12.5dB ~ 14.5dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 2.7V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

32mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

44086H

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

HFA3127BZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

5 NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

140mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 7mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-3

Pacchetto dispositivo fornitore

M13

2N5770_D74Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

Guadagno

15dB

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 8mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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