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AT-41511-TR1G

AT-41511-TR1G

Solo per riferimento

Numero parte AT-41511-TR1G
PNEDA Part # AT-41511-TR1G
Descrizione RF TRANS NPN 12V SOT143
Produttore Broadcom
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.524
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT-41511-TR1G Risorse

Brand Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT-41511-TR1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
AT-41511-TR1G, AT-41511-TR1G Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 119,3 KB)
PDFAT-41533-TR2G Datasheet Copertura
AT-41533-TR2G Datasheet Pagina 2 AT-41533-TR2G Datasheet Pagina 3 AT-41533-TR2G Datasheet Pagina 4 AT-41533-TR2G Datasheet Pagina 5 AT-41533-TR2G Datasheet Pagina 6 AT-41533-TR2G Datasheet Pagina 7 AT-41533-TR2G Datasheet Pagina 8 AT-41533-TR2G Datasheet Pagina 9 AT-41533-TR2G Datasheet Pagina 10

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AT-41511-TR1G Specifiche

ProduttoreBroadcom Limited
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
Guadagno11dB ~ 15.5dB
Potenza - Max225mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-253-4, TO-253AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-143

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CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB @ 1GHz

Guadagno

12dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 20mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MAPRST0912-50

M/A-Com Technology Solutions

Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10.16dB ~ 10.25dB

Potenza - Max

50W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5.3A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

64053

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

600MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

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Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.06dB

Potenza - Max

550W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

28A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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-

Pacchetto dispositivo fornitore

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