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AS7C34096A-12JINTR

AS7C34096A-12JINTR

Solo per riferimento

Numero parte AS7C34096A-12JINTR
PNEDA Part # AS7C34096A-12JINTR
Descrizione IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.186
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS7C34096A-12JINTR Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS7C34096A-12JINTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS7C34096A-12JINTR, AS7C34096A-12JINTR Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 157,39 KB)
PDFAS7C34096A-20TIN Datasheet Copertura
AS7C34096A-20TIN Datasheet Pagina 2 AS7C34096A-20TIN Datasheet Pagina 3 AS7C34096A-20TIN Datasheet Pagina 4 AS7C34096A-20TIN Datasheet Pagina 5 AS7C34096A-20TIN Datasheet Pagina 6 AS7C34096A-20TIN Datasheet Pagina 7 AS7C34096A-20TIN Datasheet Pagina 8 AS7C34096A-20TIN Datasheet Pagina 9

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AS7C34096A-12JINTR Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina12ns
Tempo di accesso12ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore36-SOJ

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

Microchip Technology

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Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM

Dimensione della memoria

576Mb (32M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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