Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

AS7C31026B-12JINTR

AS7C31026B-12JINTR

Solo per riferimento

Numero parte AS7C31026B-12JINTR
PNEDA Part # AS7C31026B-12JINTR
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.640
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 30 - apr 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS7C31026B-12JINTR Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS7C31026B-12JINTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS7C31026B-12JINTR, AS7C31026B-12JINTR Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 1.232,87 KB)
PDFAS7C31026B-20JCN Datasheet Copertura
AS7C31026B-20JCN Datasheet Pagina 2 AS7C31026B-20JCN Datasheet Pagina 3 AS7C31026B-20JCN Datasheet Pagina 4 AS7C31026B-20JCN Datasheet Pagina 5 AS7C31026B-20JCN Datasheet Pagina 6 AS7C31026B-20JCN Datasheet Pagina 7 AS7C31026B-20JCN Datasheet Pagina 8 AS7C31026B-20JCN Datasheet Pagina 9 AS7C31026B-20JCN Datasheet Pagina 10 AS7C31026B-20JCN Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • AS7C31026B-12JINTR Datasheet
  • where to find AS7C31026B-12JINTR
  • Alliance Memory, Inc.

  • Alliance Memory, Inc. AS7C31026B-12JINTR
  • AS7C31026B-12JINTR PDF Datasheet
  • AS7C31026B-12JINTR Stock

  • AS7C31026B-12JINTR Pinout
  • Datasheet AS7C31026B-12JINTR
  • AS7C31026B-12JINTR Supplier

  • Alliance Memory, Inc. Distributor
  • AS7C31026B-12JINTR Price
  • AS7C31026B-12JINTR Distributor

AS7C31026B-12JINTR Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina12ns
Tempo di accesso12ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-SOJ

I prodotti a cui potresti essere interessato

M29W128GSH70ZA6E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-TBGA (10x13)

S25FL032P0XNFB001

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, FL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (6x8)

MT48LC4M16A2TG-7E IT:G TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

14ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

S99FL032A0LMFI001

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT42L256M64D4LM-25 WT:A TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria

16Gb (256M x 64)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.3V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

216-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

216-FBGA (12x12)

Venduto di recente

MC9S08DN16CLC

MC9S08DN16CLC

NXP

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 32LQFP

LT6350HMS8#PBF

LT6350HMS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC DIFF CONVERT/ADC DRIVER 8MSOP

CRA2512-FZ-R020ELF

CRA2512-FZ-R020ELF

Bourns

RES 0.02 OHM 1% 3W 2512

AD8062ARZ

AD8062ARZ

Analog Devices

IC OPAMP VFB 2 CIRCUIT 8SOIC

ADV7183BBSTZ

ADV7183BBSTZ

Analog Devices

IC VIDEO DECODER NTSC 80-LQFP

BZX585-B4V7,115

BZX585-B4V7,115

Nexperia

DIODE ZENER 4.7V 300MW SOD523

LTC3025EDC-1#TRPBF

LTC3025EDC-1#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 500MA 6DFN

CY8C24123A-24SXI

CY8C24123A-24SXI

Cypress Semiconductor

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 8SOIC

BNX022-01L

BNX022-01L

Murata

FILTER LC 1UF SMD

MAX15006AATT/V+T

MAX15006AATT/V+T

Maxim Integrated

IC REG LINEAR 3.3V 50MA 6TDFN

NC7WZ241K8X

NC7WZ241K8X

ON Semiconductor

IC BUFFER NON-INVERT 5.5V US8

S-1313A33-A4T1U3

S-1313A33-A4T1U3

ABLIC

IC REG LINEAR 3.3V 200MA HSNT4-A