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AS7C256A-10JCNTR

AS7C256A-10JCNTR

Solo per riferimento

Numero parte AS7C256A-10JCNTR
PNEDA Part # AS7C256A-10JCNTR
Descrizione IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.968
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS7C256A-10JCNTR Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS7C256A-10JCNTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS7C256A-10JCNTR, AS7C256A-10JCNTR Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 248,58 KB)
PDFAS7C256A-20TIN Datasheet Copertura
AS7C256A-20TIN Datasheet Pagina 2 AS7C256A-20TIN Datasheet Pagina 3 AS7C256A-20TIN Datasheet Pagina 4 AS7C256A-20TIN Datasheet Pagina 5 AS7C256A-20TIN Datasheet Pagina 6 AS7C256A-20TIN Datasheet Pagina 7 AS7C256A-20TIN Datasheet Pagina 8 AS7C256A-20TIN Datasheet Pagina 9

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AS7C256A-10JCNTR Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ns
Tempo di accesso10ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore28-SOJ

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Produttore

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Serie

FL-L

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-BGA (6x8)

CYDM064B08-55BVXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, MoBL

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

100-VFBGA (6x6)

CP5884AF

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IS61LV6416-10KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (64K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-SOJ

24CW160-I/ST

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

450ns

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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