Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

AS6C3216-55BINTR

AS6C3216-55BINTR

Solo per riferimento

Numero parte AS6C3216-55BINTR
PNEDA Part # AS6C3216-55BINTR
Descrizione IC SRAM 32M PARALLEL 48TFBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.010
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS6C3216-55BINTR Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS6C3216-55BINTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS6C3216-55BINTR, AS6C3216-55BINTR Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 1.056,79 KB)
PDFAS6C3216-55BIN Datasheet Copertura
AS6C3216-55BIN Datasheet Pagina 2 AS6C3216-55BIN Datasheet Pagina 3 AS6C3216-55BIN Datasheet Pagina 4 AS6C3216-55BIN Datasheet Pagina 5 AS6C3216-55BIN Datasheet Pagina 6 AS6C3216-55BIN Datasheet Pagina 7 AS6C3216-55BIN Datasheet Pagina 8 AS6C3216-55BIN Datasheet Pagina 9 AS6C3216-55BIN Datasheet Pagina 10 AS6C3216-55BIN Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • AS6C3216-55BINTR Datasheet
  • where to find AS6C3216-55BINTR
  • Alliance Memory, Inc.

  • Alliance Memory, Inc. AS6C3216-55BINTR
  • AS6C3216-55BINTR PDF Datasheet
  • AS6C3216-55BINTR Stock

  • AS6C3216-55BINTR Pinout
  • Datasheet AS6C3216-55BINTR
  • AS6C3216-55BINTR Supplier

  • Alliance Memory, Inc. Distributor
  • AS6C3216-55BINTR Price
  • AS6C3216-55BINTR Distributor

AS6C3216-55BINTR Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria32Mb (2M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-TFBGA (8x10)

I prodotti a cui potresti essere interessato

W29N02GVSIAF

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND (SLC)

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

2Gb (64M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

208MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

14.4ns

Tempo di accesso

5.0ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-VFBGA (8x13)

W29GL128CL9B

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-LFBGA (11x13)

MTFC64GJVDN-4M IT

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

e•MMC™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

512Gb (64G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

169-LFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

169-LFBGA (14x18)

TH58NVG3S0HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

Produttore

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND (SLC)

Dimensione della memoria

8Gb (1G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

Venduto di recente

ADSP-21487KSWZ-4BB

ADSP-21487KSWZ-4BB

Analog Devices

DSP/DSC

ADP1755ACPZ-R7

ADP1755ACPZ-R7

Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 1.2A 16LFCSP

PSMN4R5-30YLC,115

PSMN4R5-30YLC,115

Nexperia

MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK

IRAMX16UP60B-2

IRAMX16UP60B-2

Infineon Technologies

IC PWR HYBRID 600V 16A SIP2

RB521S-30TE61

RB521S-30TE61

Rohm Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2

NL453232T-102J-PF

NL453232T-102J-PF

TDK

FIXED IND 1MH 30MA 40 OHM SMD

CP2105-F01-GM

CP2105-F01-GM

Silicon Labs

IC SGL USB-DL UART BRIDGE 24QFN

74LVC1G04Z-7

74LVC1G04Z-7

Diodes Incorporated

IC INVERTER 1CH 1-INP SOT553

ABM8-26.000MHZ-10-1-U-T

ABM8-26.000MHZ-10-1-U-T

Abracon

CRYSTAL 26.0000MHZ 10PF SMD

BK0603HS330-T

BK0603HS330-T

Taiyo Yuden

FERRITE BEAD 33 OHM 0201 1LN

AD8051ARTZ-R2

AD8051ARTZ-R2

Analog Devices

IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT SOT23-5

AD8505ARJZ-R7

AD8505ARJZ-R7

Analog Devices

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT23-5