Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

AS4C64M8D1-5TCN

AS4C64M8D1-5TCN

Solo per riferimento

Numero parte AS4C64M8D1-5TCN
PNEDA Part # AS4C64M8D1-5TCN
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.348
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C64M8D1-5TCN Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C64M8D1-5TCN
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C64M8D1-5TCN, AS4C64M8D1-5TCN Datasheet (Totale pagine: 65, Dimensioni: 1.371,9 KB)
PDFAS4C64M8D1-5BINTR Datasheet Copertura
AS4C64M8D1-5BINTR Datasheet Pagina 2 AS4C64M8D1-5BINTR Datasheet Pagina 3 AS4C64M8D1-5BINTR Datasheet Pagina 4 AS4C64M8D1-5BINTR Datasheet Pagina 5 AS4C64M8D1-5BINTR Datasheet Pagina 6 AS4C64M8D1-5BINTR Datasheet Pagina 7 AS4C64M8D1-5BINTR Datasheet Pagina 8 AS4C64M8D1-5BINTR Datasheet Pagina 9 AS4C64M8D1-5BINTR Datasheet Pagina 10 AS4C64M8D1-5BINTR Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • AS4C64M8D1-5TCN Datasheet
  • where to find AS4C64M8D1-5TCN
  • Alliance Memory, Inc.

  • Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5TCN
  • AS4C64M8D1-5TCN PDF Datasheet
  • AS4C64M8D1-5TCN Stock

  • AS4C64M8D1-5TCN Pinout
  • Datasheet AS4C64M8D1-5TCN
  • AS4C64M8D1-5TCN Supplier

  • Alliance Memory, Inc. Distributor
  • AS4C64M8D1-5TCN Price
  • AS4C64M8D1-5TCN Distributor

AS4C64M8D1-5TCN Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR
Dimensione della memoria512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso700ps
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore66-TSOP II

I prodotti a cui potresti essere interessato

AT24C16C-MAHM-E

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-UDFN (2x3)

S29CD016J1MFAM112

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

CD-J

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

16Mb (512K x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

56MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

54ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 2.75V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

80-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

80-FBGA (13x11)

IDT71V2576S133PF8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

S99-50217

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY7C199C-20ZXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-TSOP I

Venduto di recente

CNY17-4X007

CNY17-4X007

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

LTC1773EMS#TRPBF

LTC1773EMS#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 10MSOP

SI4812BDY-T1-GE3

SI4812BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

SSQ 2

SSQ 2

Bel Fuse

FUSE BOARD MNT 2A 125VAC/VDC SMD

MUR1100ERLG

MUR1100ERLG

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

DSC1001DL5-024.0000

DSC1001DL5-024.0000

Microchip Technology

MEMS OSC XO 24.0000MHZ CMOS SMD

SML-D12V8WT86

SML-D12V8WT86

Rohm Semiconductor

LED RED DIFFUSED 0603 SMD

BLM18AG601SN1D

BLM18AG601SN1D

Murata

FERRITE BEAD 600 OHM 0603 1LN

T491C107K016AT

T491C107K016AT

KEMET

CAP TANT 100UF 10% 16V 2312

ESDA6V1L

ESDA6V1L

STMicroelectronics

TVS DIODE 5.25V SOT23-3

7440430022

7440430022

Wurth Electronics

FIXED IND 2.2UH 2.5A 28 MOHM SMD

LAN8710AI-EZK-TR

LAN8710AI-EZK-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 32QFN