Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

AS4C64M16MD1-5BINTR

AS4C64M16MD1-5BINTR

Solo per riferimento

Numero parte AS4C64M16MD1-5BINTR
PNEDA Part # AS4C64M16MD1-5BINTR
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.128
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C64M16MD1-5BINTR Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C64M16MD1-5BINTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C64M16MD1-5BINTR, AS4C64M16MD1-5BINTR Datasheet (Totale pagine: 43, Dimensioni: 5.557,07 KB)
PDFAS4C64M16MD1-5BINTR Datasheet Copertura
AS4C64M16MD1-5BINTR Datasheet Pagina 2 AS4C64M16MD1-5BINTR Datasheet Pagina 3 AS4C64M16MD1-5BINTR Datasheet Pagina 4 AS4C64M16MD1-5BINTR Datasheet Pagina 5 AS4C64M16MD1-5BINTR Datasheet Pagina 6 AS4C64M16MD1-5BINTR Datasheet Pagina 7 AS4C64M16MD1-5BINTR Datasheet Pagina 8 AS4C64M16MD1-5BINTR Datasheet Pagina 9 AS4C64M16MD1-5BINTR Datasheet Pagina 10 AS4C64M16MD1-5BINTR Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • AS4C64M16MD1-5BINTR Datasheet
  • where to find AS4C64M16MD1-5BINTR
  • Alliance Memory, Inc.

  • Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD1-5BINTR
  • AS4C64M16MD1-5BINTR PDF Datasheet
  • AS4C64M16MD1-5BINTR Stock

  • AS4C64M16MD1-5BINTR Pinout
  • Datasheet AS4C64M16MD1-5BINTR
  • AS4C64M16MD1-5BINTR Supplier

  • Alliance Memory, Inc. Distributor
  • AS4C64M16MD1-5BINTR Price
  • AS4C64M16MD1-5BINTR Distributor

AS4C64M16MD1-5BINTR Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso5ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore60-FBGA (8x10)

I prodotti a cui potresti essere interessato

BQ4010MA-150

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

150ns

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.75V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP Module (0.61", 15.49mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-DIP Module (18.42x37.72)

AT28C64B-15PU

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-PDIP

MT46V16M8TG-75:D

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

750ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP

AT29C020-12JC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (13.97x11.43)

70V25S55J

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

128Kb (8K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

84-PLCC (29.21x29.21)

Venduto di recente

ISL6612AIBZ-T

ISL6612AIBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

SC18IS600IBS,157

SC18IS600IBS,157

NXP

IC I2C BUS INTERFACE 24-HVQFN

AD7305BRZ

AD7305BRZ

Analog Devices

IC DAC 8BIT V-OUT 20SOIC

MBR140SFT1G

MBR140SFT1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123L

IHLP2525CZERR47M01

IHLP2525CZERR47M01

Vishay Dale

FIXED IND 470NH 17.5A 4.2 MOHM

BAT43WS-7-F

BAT43WS-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323

SI8901D-A01-GS

SI8901D-A01-GS

Silicon Labs

IC ADC 10BIT SAR 16SOIC

AUIRF2804S

AUIRF2804S

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

W25Q64JVSFIQ

W25Q64JVSFIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC

W681360WG

W681360WG

Nuvoton Technology

IC VOICEBND CODEC 3V 1CH 20TSSOP

ESD3V3D5B-TP

ESD3V3D5B-TP

Micro Commercial Co

TVS DIODE 3.3V 12V SOD523

CDSOT23-T24CAN

CDSOT23-T24CAN

Bourns

TVS DIODE 24V 40V SOT23