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AS4C4M32S-7BCNTR

AS4C4M32S-7BCNTR

Solo per riferimento

Numero parte AS4C4M32S-7BCNTR
PNEDA Part # AS4C4M32S-7BCNTR
Descrizione IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.632
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C4M32S-7BCNTR Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C4M32S-7BCNTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C4M32S-7BCNTR, AS4C4M32S-7BCNTR Datasheet (Totale pagine: 46, Dimensioni: 3.786,21 KB)
PDFAS4C4M32S-6BINTR Datasheet Copertura
AS4C4M32S-6BINTR Datasheet Pagina 2 AS4C4M32S-6BINTR Datasheet Pagina 3 AS4C4M32S-6BINTR Datasheet Pagina 4 AS4C4M32S-6BINTR Datasheet Pagina 5 AS4C4M32S-6BINTR Datasheet Pagina 6 AS4C4M32S-6BINTR Datasheet Pagina 7 AS4C4M32S-6BINTR Datasheet Pagina 8 AS4C4M32S-6BINTR Datasheet Pagina 9 AS4C4M32S-6BINTR Datasheet Pagina 10 AS4C4M32S-6BINTR Datasheet Pagina 11

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AS4C4M32S-7BCNTR Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM
Dimensione della memoria128Mb (4M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina2ns
Tempo di accesso5.4ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore90-TFBGA (8x13)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (1G x 1)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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BR24G64NUX-3TTR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

VSON008X2030

CY7C1613KV18-300BZI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

144Mb (8M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

300MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

LE25S40AMCTWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

40MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

1ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 90°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC/SOPJ

MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

8Gb (256M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1866MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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