Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

AS4C16M16D1-5TCN

AS4C16M16D1-5TCN

Solo per riferimento

Numero parte AS4C16M16D1-5TCN
PNEDA Part # AS4C16M16D1-5TCN
Descrizione IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.092
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 30 - apr 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C16M16D1-5TCN Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C16M16D1-5TCN
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C16M16D1-5TCN, AS4C16M16D1-5TCN Datasheet (Totale pagine: 67, Dimensioni: 2.020,49 KB)
PDFAS4C16M16D1-5TIN Datasheet Copertura
AS4C16M16D1-5TIN Datasheet Pagina 2 AS4C16M16D1-5TIN Datasheet Pagina 3 AS4C16M16D1-5TIN Datasheet Pagina 4 AS4C16M16D1-5TIN Datasheet Pagina 5 AS4C16M16D1-5TIN Datasheet Pagina 6 AS4C16M16D1-5TIN Datasheet Pagina 7 AS4C16M16D1-5TIN Datasheet Pagina 8 AS4C16M16D1-5TIN Datasheet Pagina 9 AS4C16M16D1-5TIN Datasheet Pagina 10 AS4C16M16D1-5TIN Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • AS4C16M16D1-5TCN Datasheet
  • where to find AS4C16M16D1-5TCN
  • Alliance Memory, Inc.

  • Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5TCN
  • AS4C16M16D1-5TCN PDF Datasheet
  • AS4C16M16D1-5TCN Stock

  • AS4C16M16D1-5TCN Pinout
  • Datasheet AS4C16M16D1-5TCN
  • AS4C16M16D1-5TCN Supplier

  • Alliance Memory, Inc. Distributor
  • AS4C16M16D1-5TCN Price
  • AS4C16M16D1-5TCN Distributor

AS4C16M16D1-5TCN Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR
Dimensione della memoria256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso700ps
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore66-TSOP II

I prodotti a cui potresti essere interessato

MT51K256M32HF-60 N:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

RAM

Tecnologia

SGRAM - GDDR5

Dimensione della memoria

8Gb (256M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.5GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.3V ~ 1.545V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IS61LPS102418A-250B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2.6ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-TFBGA (13x15)

CG8402AA

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

130-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

130-VFBGA (8x9)

IDT6116SA25SO8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

24-SOIC

Venduto di recente

MC33161DMR2G

MC33161DMR2G

ON Semiconductor

IC MONITOR VOLTAGE UNIV 8MICRO

ASDMB-12.000MHZ-LC-T

ASDMB-12.000MHZ-LC-T

Abracon

MEMS OSC XO 12.0000MHZ LVCMOS

AT24C04D-SSHM-T

AT24C04D-SSHM-T

Microchip Technology

IC EEPROM 4K I2C 1MHZ 8SOIC

BTS723GWXUMA1

BTS723GWXUMA1

Infineon Technologies

IC PWR SW 2CH 58V HISIDE PDSO14

MAX3002EUP+

MAX3002EUP+

Maxim Integrated

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 20TSSOP

USB2642-I/ML

USB2642-I/ML

Microchip Technology

IC FLASH MEDIA CTLR USB2 48VQFN

BNX022-01L

BNX022-01L

Murata

FILTER LC 1UF SMD

MIC2025-1YM

MIC2025-1YM

Microchip Technology

IC SW DISTRIBUTION 1CHAN 8SOIC

ADV7183BBSTZ

ADV7183BBSTZ

Analog Devices

IC VIDEO DECODER NTSC 80-LQFP

VO14642AABTR

VO14642AABTR

Vishay Semiconductor Opto Division

SSR RELAY SPST-NO 2A 0-60V

ADUM1250ARZ

ADUM1250ARZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 8SOIC

MAX1111CPE+

MAX1111CPE+

Maxim Integrated

IC ADC 8BIT SAR 16DIP