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AS4C128M32MD2A-18BINTR

AS4C128M32MD2A-18BINTR

Solo per riferimento

Numero parte AS4C128M32MD2A-18BINTR
PNEDA Part # AS4C128M32MD2A-18BINTR
Descrizione IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.988
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C128M32MD2A-18BINTR Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C128M32MD2A-18BINTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C128M32MD2A-18BINTR, AS4C128M32MD2A-18BINTR Datasheet (Totale pagine: 122, Dimensioni: 5.015,31 KB)
PDFAS4C128M32MD2A-18BINTR Datasheet Copertura
AS4C128M32MD2A-18BINTR Datasheet Pagina 2 AS4C128M32MD2A-18BINTR Datasheet Pagina 3 AS4C128M32MD2A-18BINTR Datasheet Pagina 4 AS4C128M32MD2A-18BINTR Datasheet Pagina 5 AS4C128M32MD2A-18BINTR Datasheet Pagina 6 AS4C128M32MD2A-18BINTR Datasheet Pagina 7 AS4C128M32MD2A-18BINTR Datasheet Pagina 8 AS4C128M32MD2A-18BINTR Datasheet Pagina 9 AS4C128M32MD2A-18BINTR Datasheet Pagina 10 AS4C128M32MD2A-18BINTR Datasheet Pagina 11

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  • AS4C128M32MD2A-18BINTR Distributor

AS4C128M32MD2A-18BINTR Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.14V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia134-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore134-FBGA (10x11.5)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II+

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

IDT71P72604S200BQI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.88ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-CABGA (13x15)

BR24C16-DS6TP

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

CY7C1020D-10VXIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

512Kb (32K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-SOJ

24AA01HT-I/MNY

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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