APTMC120AM20CT1AG
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| Numero parte | APTMC120AM20CT1AG |
| PNEDA Part # | APTMC120AM20CT1AG |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.732 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTMC120AM20CT1AG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTMC120AM20CT1AG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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APTMC120AM20CT1AG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 143A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 2mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5960pF @ 1000V |
| Potenza - Max | 600W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
