APTM50HM35FG
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| Numero parte | APTM50HM35FG |
| PNEDA Part # | APTM50HM35FG |
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.870 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTM50HM35FG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTM50HM35FG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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APTM50HM35FG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 99A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 49.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 280nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 25V |
| Potenza - Max | 781W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 89A Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 44.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 112nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6850pF @ 25V Potenza - Max 357W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
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