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APTM50DHM75TG

APTM50DHM75TG

Solo per riferimento

Numero parte APTM50DHM75TG
PNEDA Part # APTM50DHM75TG
Descrizione MOSFET 2N-CH 500V 46A SP4
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.982
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTM50DHM75TG Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTM50DHM75TG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
APTM50DHM75TG, APTM50DHM75TG Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 286,2 KB)
PDFAPTM50DHM75TG Datasheet Copertura
APTM50DHM75TG Datasheet Pagina 2 APTM50DHM75TG Datasheet Pagina 3 APTM50DHM75TG Datasheet Pagina 4 APTM50DHM75TG Datasheet Pagina 5 APTM50DHM75TG Datasheet Pagina 6

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APTM50DHM75TG Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C46A
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs123nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5600pF @ 25V
Potenza - Max357W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP4
Pacchetto dispositivo fornitoreSP4

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 20V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

186mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 7.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 75V

Potenza - Max

19.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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PowerPAK® SO-8 Dual

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

8-EMH

DMG6301UDW-7

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

240mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.36nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

27.9pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2254pF @ 25V

Potenza - Max

156W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

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