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APTM50DHM65TG

APTM50DHM65TG

Solo per riferimento

Numero parte APTM50DHM65TG
PNEDA Part # APTM50DHM65TG
Descrizione MOSFET 2N-CH 500V 51A SP4
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.580
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTM50DHM65TG Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTM50DHM65TG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
APTM50DHM65TG, APTM50DHM65TG Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 285,33 KB)
PDFAPTM50DHM65TG Datasheet Copertura
APTM50DHM65TG Datasheet Pagina 2 APTM50DHM65TG Datasheet Pagina 3 APTM50DHM65TG Datasheet Pagina 4 APTM50DHM65TG Datasheet Pagina 5 APTM50DHM65TG Datasheet Pagina 6

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APTM50DHM65TG Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C51A
Rds On (Max) @ Id, Vgs78mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7000pF @ 25V
Potenza - Max390W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP4
Pacchetto dispositivo fornitoreSP4

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.8A, 4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

398pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

APTM100A23STG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V (1kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

36A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

308nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8700pF @ 25V

Potenza - Max

694W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

EFC2K102NUZTDG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.65mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 3.8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

3.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

10-WLCSP (2.98x1.49)

EPC2103

EPC

Produttore

EPC

Serie

eGaN®

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 40V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

APTC90AM60SCTG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Super Junction

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

59A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

540nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

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