APTM20UM03FAG
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| Numero parte | APTM20UM03FAG |
| PNEDA Part # | APTM20UM03FAG |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 580A SP6 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.128 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | gen 6 - gen 11 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTM20UM03FAG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTM20UM03FAG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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APTM20UM03FAG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 580A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 290A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 15mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 840nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 43300pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2270W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
| Pacchetto / Custodia | SP6 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10.7A (Ta), 54A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1410pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.9W (Ta), 100W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DPAK-3 Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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