APTM120A29FTG
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| Numero parte | APTM120A29FTG |
| PNEDA Part # | APTM120A29FTG |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.166 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTM120A29FTG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTM120A29FTG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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APTM120A29FTG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 34A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 348mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 374nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10300pF @ 25V |
| Potenza - Max | 780W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP4 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP4 |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 72A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 72A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 5.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 518nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 25V Potenza - Max 416W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP1 Pacchetto dispositivo fornitore SP1 |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 51mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1090pF @ 15V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore STMicroelectronics Serie STripFET™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
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