APTGTQ100DA65T1G
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| Numero parte | APTGTQ100DA65T1G |
| PNEDA Part # | APTGTQ100DA65T1G |
| Descrizione | POWER MODULE - IGBT |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.786 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTGTQ100DA65T1G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTGTQ100DA65T1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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APTGTQ100DA65T1G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Boost Chopper |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100A |
| Potenza - Max | 250W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 100µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 6nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 185A Potenza - Max 650W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max) 50µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 6.15nF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia SP3 Pacchetto dispositivo fornitore SP3 |
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