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APTGT50DA170T1G

APTGT50DA170T1G

Solo per riferimento

Numero parte APTGT50DA170T1G
PNEDA Part # APTGT50DA170T1G
Descrizione IGBT 1700V 75A 312W SP1
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.230
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 25 - dic 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTGT50DA170T1G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTGT50DA170T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APTGT50DA170T1G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1700V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)75A
Potenza - Max312W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 50A
Corrente - Taglio collettore (Max)250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce4.4nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP1
Pacchetto dispositivo fornitoreSP1

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1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

280A

Potenza - Max

1147W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

12.7nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Double INT-A-PAK (3 + 4)

Pacchetto dispositivo fornitore

Double INT-A-PAK

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

140A

Potenza - Max

515W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

VS-GB55LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

HEXFRED®

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

84A

Potenza - Max

431W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

FD800R33KF2CNOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single Chopper

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

9600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.25V @ 15V, 800A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

100nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FS100R17N3E4B11BOSA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

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