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APTGT200A120D3G

APTGT200A120D3G

Solo per riferimento

Numero parte APTGT200A120D3G
PNEDA Part # APTGT200A120D3G
Descrizione IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
Produttore Microsemi
Prezzo unitario
1 ---------- $222,4131
50 ---------- $211,9874
100 ---------- $201,5618
200 ---------- $191,1362
400 ---------- $182,4482
500 ---------- $173,7602
Disponibile 531
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Consegna stimata apr 1 - apr 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTGT200A120D3G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTGT200A120D3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APTGT200A120D3G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneHalf Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)300A
Potenza - Max1040W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 200A
Corrente - Taglio collettore (Max)6mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce14nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaD-3 Module
Pacchetto dispositivo fornitoreD3

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Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

1340W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

35nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single Switch

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1500A

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 1500A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

E10

Pacchetto dispositivo fornitore

E10

APTGF25H120T2G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Potenza - Max

208W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 25A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP2

Pacchetto dispositivo fornitore

SP2

VS-GB75TP120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

105A

Potenza - Max

500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 75A (Typ)

Corrente - Taglio collettore (Max)

2mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.3nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

INT-A-PAK (3 + 4)

Pacchetto dispositivo fornitore

INT-A-PAK

APTGT30H60T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Potenza - Max

90W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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