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APTGT100DH170G

APTGT100DH170G

Solo per riferimento

Numero parte APTGT100DH170G
PNEDA Part # APTGT100DH170G
Descrizione IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.430
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTGT100DH170G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTGT100DH170G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APTGT100DH170G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneAsymmetrical Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1700V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)150A
Potenza - Max560W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 100A
Corrente - Taglio collettore (Max)350µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce9nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP6
Pacchetto dispositivo fornitoreSP6

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Littelfuse

Produttore

Littelfuse Inc.

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

325A

Potenza - Max

1050W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 225A (Typ)

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

16nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

WB

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Potenza - Max

110W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 15A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.1nF @ 25V

Input

Three Phase Bridge Rectifier

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGF50DH60T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Asymmetrical Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65A

Potenza - Max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

APTGT25A120D1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Potenza - Max

140W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.8nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

IRG5U100HF12B

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

180A

Potenza - Max

780W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

12nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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