APTC90H12SCTG
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| Numero parte | APTC90H12SCTG |
| PNEDA Part # | APTC90H12SCTG |
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.816 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTC90H12SCTG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTC90H12SCTG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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APTC90H12SCTG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | CoolMOS™ |
| Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Funzione FET | Super Junction |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 900V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 26A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 100V |
| Potenza - Max | 250W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP4 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP4 |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 15V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
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