APTC90AM60T1G
Solo per riferimento
| Numero parte | APTC90AM60T1G |
| PNEDA Part # | APTC90AM60T1G |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.520 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
APTC90AM60T1G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | APTC90AM60T1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- APTC90AM60T1G Datasheet
- where to find APTC90AM60T1G
- Microsemi
- Microsemi APTC90AM60T1G
- APTC90AM60T1G PDF Datasheet
- APTC90AM60T1G Stock
- APTC90AM60T1G Pinout
- Datasheet APTC90AM60T1G
- APTC90AM60T1G Supplier
- Microsemi Distributor
- APTC90AM60T1G Price
- APTC90AM60T1G Distributor
APTC90AM60T1G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | CoolMOS™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | Super Junction |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 900V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 59A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 52A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 540nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 100V |
| Potenza - Max | 462W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 20V Potenza - Max - Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 15V Potenza - Max 46W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 45A Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7600pF @ 25V Potenza - Max 568W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP3 Pacchetto dispositivo fornitore SP3 |
Produttore Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair Funzione FET Depletion Mode Tensione Drain to Source (Vdss) 10.6V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 540Ohm @ 0V Vgs (th) (Max) @ Id 3.45V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
