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APTC60TAM21SCTPAG

APTC60TAM21SCTPAG

Solo per riferimento

Numero parte APTC60TAM21SCTPAG
PNEDA Part # APTC60TAM21SCTPAG
Descrizione MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.022
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTC60TAM21SCTPAG Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTC60TAM21SCTPAG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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APTC60TAM21SCTPAG Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieCoolMOS™
Tipo FET6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C116A
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.6V @ 6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs580nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds13000pF @ 100V
Potenza - Max625W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreSP6-P

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 10V

Potenza - Max

1.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

151nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6900pF @ 25V

Potenza - Max

150W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUSi5-Pak™

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 16µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1105pF @ 25V

Potenza - Max

43W

Temperatura di esercizio

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