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APTC60TAM21SCTPAG

APTC60TAM21SCTPAG

Solo per riferimento

Numero parte APTC60TAM21SCTPAG
PNEDA Part # APTC60TAM21SCTPAG
Descrizione MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.022
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTC60TAM21SCTPAG Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTC60TAM21SCTPAG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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  • APTC60TAM21SCTPAG Distributor

APTC60TAM21SCTPAG Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieCoolMOS™
Tipo FET6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C116A
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.6V @ 6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs580nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds13000pF @ 100V
Potenza - Max625W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreSP6-P

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Ta), 74A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

Potenza - Max

3.1W (Ta), 50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 16µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1105pF @ 25V

Potenza - Max

43W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TDSON-8-4

EFC6611R-A-TF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

95A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 20V

Potenza - Max

50W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

333A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 166.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1184nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

40800pF @ 25V

Potenza - Max

1250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

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