APTC60DDAM35T3G
Solo per riferimento
| Numero parte | APTC60DDAM35T3G |
| PNEDA Part # | APTC60DDAM35T3G |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.934 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
APTC60DDAM35T3G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | APTC60DDAM35T3G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- APTC60DDAM35T3G Datasheet
- where to find APTC60DDAM35T3G
- Microsemi
- Microsemi APTC60DDAM35T3G
- APTC60DDAM35T3G PDF Datasheet
- APTC60DDAM35T3G Stock
- APTC60DDAM35T3G Pinout
- Datasheet APTC60DDAM35T3G
- APTC60DDAM35T3G Supplier
- Microsemi Distributor
- APTC60DDAM35T3G Price
- APTC60DDAM35T3G Distributor
APTC60DDAM35T3G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 72A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 72A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 5.4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 518nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 25V |
| Potenza - Max | 416W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 104A Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7220pF @ 25V Potenza - Max 390W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10.6A (Ta), 43.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 733pF @ 20V Potenza - Max 2.41W (Ta), 42.8W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI5060-8 |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 2.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 467pF @ 10V Potenza - Max 700mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore SuperSOT™-6 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore 8-ECH |
Produttore EPC Serie eGaN® Tipo FET 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) Funzione FET GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A, 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V Potenza - Max - Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 9-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 9-BGA (1.35x1.35) |
