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APT95GR65B2

APT95GR65B2

Solo per riferimento

Numero parte APT95GR65B2
PNEDA Part # APT95GR65B2
Descrizione IGBT 650V 208A 892W T-MAX
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.616
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT95GR65B2 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT95GR65B2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT95GR65B2 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)208A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)400A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 95A
Potenza - Max892W
Switching Energy3.12mJ (on), 2.55mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge420nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C29ns/226ns
Condizione di test433V, 95A, 4.3Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreT-MAX™ [B2]

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

400ns/400ns

Condizione di test

300V, 10A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220SM

NGTD28T65F2WP

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

IGP20N60H3XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

Potenza - Max

170W

Switching Energy

690µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

120nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16ns/194ns

Condizione di test

400V, 20A, 14.6Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

STGF19NC60HD

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Potenza - Max

32W

Switching Energy

85µJ (on), 189µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

53nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/97ns

Condizione di test

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

31ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

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