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APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

Solo per riferimento

Numero parte APT75GN60B2DQ3G
PNEDA Part # APT75GN60B2DQ3G
Descrizione IGBT 600V 155A 536W TO264
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.508
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT75GN60B2DQ3G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT75GN60B2DQ3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT75GN60B2DQ3G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)155A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)225A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 75A
Potenza - Max536W
Switching Energy2500µJ (on), 2140µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge485nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C47ns/385ns
Condizione di test400V, 75A, 1Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-264-3, TO-264AA
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

55A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

1.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

100nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/150ns

Condizione di test

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXSH)

IRGP4086PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.96V @ 15V, 120A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

65nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

36ns/112ns

Condizione di test

196V, 25A, 10Ohm

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

SGH40N60UFDM1TU

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 20A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

160µJ (on), 200µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

97nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

15ns/65ns

Condizione di test

300V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

Produttore

IXYS

Serie

XPT™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 40A

Potenza - Max

577W

Switching Energy

11.7mJ (on), 6.9mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

270nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

21ns/200ns

Condizione di test

1250V, 40A, 1Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

210ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Gate Charge

53nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Through Hole

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