APT70GR65B2DU40
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| Numero parte | APT70GR65B2DU40 |
| PNEDA Part # | APT70GR65B2DU40 |
| Descrizione | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.400 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 6 - apr 11 (Scegli Spedizione rapida) |
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APT70GR65B2DU40 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT70GR65B2DU40 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT70GR65B2DU40 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | NPT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 134A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 280A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 70A |
| Potenza - Max | 595W |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 305nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 18ns/170ns |
| Condizione di test | 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 400V Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 8V @ 4.5V, 150A Potenza - Max 45W Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Pacchetto dispositivo fornitore I-PAK |
Produttore IXYS Serie XPT™, GenX3™ Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 340A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 900A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A Potenza - Max - Switching Energy 3mJ (on), 1.7mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 315nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 47ns/125ns Condizione di test 360V, 100A, 1Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore PLUS247™-3 |
Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo IGBT Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 70A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 35A Potenza - Max 320W Switching Energy 3.2mJ (on), 2.5mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 166nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 53ns/185ns Condizione di test 600V, 35A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 200ns Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 35A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Potenza - Max 72W Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge 94nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 39ns/143ns Condizione di test 400V, 50A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 225ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-3PFM, SC-93-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-3PFM |
