APT68GA60LD40
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Numero parte | APT68GA60LD40 | ||||||||||||||||||
PNEDA Part # | APT68GA60LD40 | ||||||||||||||||||
Descrizione | IGBT 600V 121A 520W TO-264 | ||||||||||||||||||
Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
Prezzo unitario |
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Disponibile | 193 | ||||||||||||||||||
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Consegna stimata | nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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APT68GA60LD40 Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | APT68GA60LD40 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT68GA60LD40 Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | POWER MOS 8™ |
Tipo IGBT | PT |
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 121A |
Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 202A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
Potenza - Max | 520W |
Switching Energy | 715µJ (on), 607µJ (off) |
Tipo di ingresso | Standard |
Gate Charge | 198nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 21ns/133ns |
Condizione di test | 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 22ns |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | TO-264-3, TO-264AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264 [L] |
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