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APT5SM170B

APT5SM170B

Solo per riferimento

Numero parte APT5SM170B
PNEDA Part # APT5SM170B
Descrizione MOSFET N-CH 700V TO247
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.436
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 1 - apr 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT5SM170B Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT5SM170B
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
APT5SM170B, APT5SM170B Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 417,75 KB)
PDFAPT5SM170B Datasheet Copertura
APT5SM170B Datasheet Pagina 2 APT5SM170B Datasheet Pagina 3 APT5SM170B Datasheet Pagina 4 APT5SM170B Datasheet Pagina 5 APT5SM170B Datasheet Pagina 6

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APT5SM170B Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaSiCFET (Silicon Carbide)
Tensione Drain to Source (Vdss)1700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.25Ohm @ 2.5A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id3.2V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 20V
Vgs (massimo)+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds249pF @ 1000V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)65W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3
Pacchetto / CustodiaTO-247-3

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

37A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

725pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

44W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK33

Pacchetto / Custodia

SOT-1210, 8-LFPAK33

IRF7700TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 8.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

89nC @ 5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4300pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

IRF9540SPBF

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.7W (Ta), 150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NVTFS5C658NLTAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

109A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1935pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

114W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WDFN (3.3x3.3)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

0.9V, 2.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

69mOhm @ 1.5A, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.2nC @ 2.5V

Vgs (massimo)

±5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1010pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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