APT50GN60BDQ2G
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| Numero parte | APT50GN60BDQ2G |
| PNEDA Part # | APT50GN60BDQ2G |
| Descrizione | IGBT 600V 107A 366W TO247 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.436 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT50GN60BDQ2G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT50GN60BDQ2G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT50GN60BDQ2G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 107A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 50A |
| Potenza - Max | 366W |
| Switching Energy | 1185µJ (on), 1565µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 325nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 20ns/230ns |
| Condizione di test | 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
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Produttore STMicroelectronics Serie PowerMESH™ Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 40A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A Potenza - Max 130W Switching Energy 85µJ (on), 189µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 53nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 25ns/97ns Condizione di test 390V, 12A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220 |
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